在车载充电机内部，MOS管和IGBT管都是重要的元器件，它们可以通过以下方法进行辨别：
结构与符号：IGBT是通过在MOSFET的漏极上追加层而构成的，其电路符号通常与MOSFET相似，但IGBT多了一个“T”形或类似的三极管标记。因此，可以通过观察电路符号来区分MOS管和IGBT。
内部二极管：IGBT内部通常会有一个体二极管，这个二极管并非寄生，而是为了保护IGBT脆弱的反向耐压而特别设置的。因此，在检测时可以通过万用表测量IGBT的C极和E极，如果测得电阻值无穷大，则说明没有体二极管。这也是区分MOS管和IGBT的重要方法之一。
导通程度：在导通程度上，MOS管D、S之间的电阻值远小于IGBT管c、e之间的电阻值。因此，可以通过测量两元器件之间的电阻值来区分它们。
综上所述，辨别MOS管和IGBT管的方法主要有观察其结构与符号、检测其内部二极管以及测量其导通程度。如需更全面准确的信息，建议咨询专业人士或查阅车载充电机相关技术文档。
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